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Product Center艾赛斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA
产品简介
| 品牌 | 其他品牌 | 应用领域 | 医疗卫生,电子/电池,道路/轨道/船舶,航空航天,汽车及零部件 |
|---|---|---|---|
| 产品种类 | 半导体模块 | 电流电压 | 2*1200V |
| 电流电源 | 80-100A | 封装 | 标准封装 |
| 重量 | 30G | 颜色 | 黑色 |
艾赛斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA/CLA110MB1200NA
可控硅-主要参数
1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4、控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。
可控硅-参数符号说明
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
VISO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--通态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流
艾赛斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA/CLA110MB1200NA 1200V/1600V ，更多品牌系列，请联系客服
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