IGBT是第三代功率模块，工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、双极型达林顿管等，单个元件电压可达4.0KV（pt结构）一6.5KV（npt结构），电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。IXXN110N65C4H1德国艾赛斯IGBT模块功率模块

IGBT在高频下工作时，其总损耗与开关频率的关系比较大，因此，若希望IGBT工作在更高的频率，可选择更大电流的IGBT模块；另一方面，软开关主要是降低了开关损耗，可使IGBT模块工作频率大大提高。随着IGBT模块耐压的提高，IGBT的开关频率相应下降，下面列出英飞凌模块不同耐压，不同系列工作频率的参考值。供应原装大功率1单元单管英飞凌IGBT模块

绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。原厂扬杰IGBT模块现货供应

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德国Semikron赛米控的分立二极管主要有三种封装形式：轴向二极管、螺栓型以及平板型。按性能分雪崩型、快恢复型、标准恢复型、（平板型）焊接二极管。SKIIP系列模块赛米控SEMIKRON原装型号齐全