MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(Insulator)—半导体。MOS管的Source和Drain是可以对调的，他们都是在P型Backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。艾赛斯模块MOS管现货供应

MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管 MOS管/三极管/场效应管 德国IXYS艾赛斯

MOS具有以下特点：开关速度快、高频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、热稳定性优良、无二次击穿问题、全工作区宽、工作线性度高等。其最重要的有点就是能够减少体积大小与重量，提供给设计者一种高速度、高功率、高电压与高增益的元件。在各类中小功率开关电路中应用极为广泛。 艾赛斯IXYS场效应管MOS管触发开关驱动模块

mos管在电路中一般用作电子开关，在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路，漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理。当然MOS管做开关使用的电路形式比较多了。德国艾赛斯MOS管场效应管模块贴片大功率

IGBT最常见的应用形式是模块。大电流和大电压环境多使用IGBT模块，IHS数据显示模块和单管比例为3:1。而IPM是特殊的IGBT模块，主要应用于中小功率变频系统。IGBT模块主要有五种结构。以2 in 1模块为例，模块中封装了两组芯片，根据电流或功率要求不同每组可并联多颗IGBT芯片（ IGBT芯片与FRD一一对应）英飞凌二极管IGBT模块BYM600A/300B170DN2