英飞凌通用晶体管包括达林顿晶体管、开关和高压晶体管。这些器件可采用各种封装类型，同时提供PNP和NPN组合，并且提供多芯片封装。主要的封装型号有SOT23、SOT323、SOT363和TSLP。英飞凌旗下晶体管产品的Vceo高达120V，Ic高达1000mA。我们的产品系列几乎涵盖了汽车、工业、消费电子、通信和数据通信领域内的所有应用。T378N/T370N/T298N/T221N英飞凌平板晶闸管

英飞凌晶闸管T2251N/T2563N/T2871N/T3011N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性\\坚固且密封的陶瓷外壳。特征：在较宽的温度范围内具有 50/60 Hz 的*阻断能力；高直流电压阻断稳定性；高冲击电流能力；高开启 di/dt 功能；高 dv/dt 功能。优势：可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机；通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节；由于高过载能力，可实现无熔丝设计。

相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳。特征描述：在较宽的温度范围内具有 50/60 Hz 的*阻断能力；高直流电压阻断稳定性；高冲击电流能力；高开启 di/dt 功能；高 dv/dt 功能。优势：可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机；通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节；由于高过载能力，可实现无熔丝设计。全新现货 英飞凌 大功率平板晶闸管

Thyristor Discs 为200 V至8000 V电压范围和86A至4800A电流区间的器件提供盘式外壳。所有片式元器件均采用高度可靠、稳健、密封的陶瓷外壳，以避免物理损伤和几乎所有潜在的负面环境影响，例如潮湿。作为产品系列的延伸，片式光触发晶闸管（LTT）也包含其中。功率范围涵盖5200 V至8000 V电压区间以及550 A至4000 A电流区间。全新英飞凌大功率晶闸管 功率半导体模块

英飞凌通用晶体管包括达林顿晶体管、开关和高压晶体管。这些器件可采用各种封装类型，同时提供PNP和NPN组合，并且提供多芯片封装。主要的封装型号有SOT23、SOT323、SOT363和TSLP。英飞凌旗下晶体管产品的Vceo高达120V，Ic高达1000mA。我们的产品系列几乎涵盖了汽车、工业、消费电子、通信和数据通信领域内的所有应用。德国英飞凌大功率晶闸管T系列 6500V-9500V