IGBT是第三代功率模块，工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、双极型达林顿管等，单个元件电压可达4.0KV（pt结构）一6.5KV（npt结构），电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。美高森美IGBT模块/功率模块/功率半导体模块

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IGBT是第三代功率模块，工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、双极型达林顿管等，单个元件电压可达4.0KV（pt结构）一6.5KV（npt结构），电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。IXDN75N120艾赛斯IGBT模块/晶闸管/功率模块

IGBT发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的，特别是发展高压变频器的应用，简化其主电路，减少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，简化调试工作等，都与IGBT有密切的内在联系，所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发，予估近2-3年内，会有突破性的进展。已有适用于高压变频器的有电压型HV-IGBT,igct,电流型sgct等。美高森美IGBT模块全新现货半导体电子元器件