MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(Insulator)—半导体。MOS管的Source和Drain是可以对调的...

MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此，M...

MOS具有以下特点：开关速度快、高频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、热稳定性优良、无二次击穿问题、全工作区宽、工作线性度高等。其最重要的有点就是能够减少体积大小与重量，提供给设计者一种高速度、高功率...

mos管在电路中一般用作电子开关，在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路，漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是M...

IGBT最常见的应用形式是模块。大电流和大电压环境多使用IGBT模块，IHS数据显示模块和单管比例为3:1。而IPM是特殊的IGBT模块，主要应用于中小功率变频系统。IGBT模块主要有五种结构。以2 ...

在电动汽车的“三电”方面，TESLA的Model S使用的三相异步驱动电机，其中每一相的驱动控制需要使用28颗塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84颗IGBT芯片。算算总量，就可知需求的庞大。此外，充...

由于系统结构的问题，有时驱动板不能直接焊在或是螺丝拧在IGBT上，而是通过线缆连接到IGBT的辅助端子。连同驱动电路本身的输出杂散电感和IGBT内部的栅极绑定线杂散电感一起，构成了栅极回路电感Lg。它...

IGBT开通性能而言，有两个比较重要的表现指标：一个是开通时桥臂电流的变化率di/dt，另一个是器件从关断状态到导通状态所产生的开通损耗。前者如果太高，续流二极管（FWD）也会有一个很快的反向恢复过程...

如今，IGBT已被广泛应用于工业电源领域。与MOSFET相同，它也是一种压控型器件。其开关性能可通过IGBT驱动设置加以控制或影响。优化IGBT开关性能对于系统设计而言十分重要，因为不同的开关损耗会影...

德国infineon公司生产的IGBT模块品种繁多，为了使客户选型方便，我们对其按电压等级进行分类，共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、3300V、4500V/6500V五种电...