IGBT是第三代功率模块，工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、双极型达林顿管等，单个元件电压可达4.0KV（pt结构）一6.5KV（npt结构），电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。APT100GT120JU2 美高森美IGBT模块功率模块

IGBT是第三代功率模块，工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、双极型达林顿管等，单个元件电压可达4.0KV（pt结构）一6.5KV（npt结构），电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。IXDN75N120艾赛斯IGBT模块/晶闸管/功率模块

注意事项：测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。肖特基快恢复二极管与整流器美高森美大功率

超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。快速二极管美高森美 1200V 分立元器件现货

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。美高森美快速二极管模块整流器模块