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  • 20238-2
    探讨高压快速熔断器的限制电压

    高压快速熔断器作为电力系统中的重要组成部分,具有保护电力设备和维护电网安全稳定运行的重要作用。在实际应用中,确定合适的限制电压是保证熔断器正常工作的关键因素。本文将介绍熔断器的限制电压及其重要性,并阐述如何正确选择适当的限制电压。高压快速熔断器广泛用于输电线路、变电站等电力系统中,用于保护负荷和设备免受过流、短路等故障的影响。它以其快速切断电流的特点保证了电力系统的安全运行,有效降低了事故和损坏的风险。限制电压是指熔断器能够正常工作的最大电压值。当电网电压超过限制电压时,熔断...

  • 20237-14
    电容触摸传感器取代机械开关

    传统机械开关应用较为广泛,其在灵敏度与触觉反馈等领域有着良好的表现。但是随着智能化时代的来临,人们对这些参数的需求也在逐渐提升,因此利用电容触摸传感器来取代机械开关,就成为了一个不错的选择。电容触摸传感器可以不需要任何外部元件或材料,能够凭借标准两层或四层PCB上的走线(trace)或柔性电路来满足工作需求。不受外界环境影响,在任何工况下都能够保持灵敏水平是对传感器的一大要求和考验。因为印刷电路电容传感器容易因为温湿度变化而发生漂移,这时候漂移补偿功能就十分必要了。PCB还可...

  • 20236-15
    igbt模块功能有哪些?

    一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除...

  • 20235-29
    西门康可控硅模块的原理及应用

    西门康是一家工业自动化解决方案提供商,其可控硅模块是一种常用于交流电源控制和调节中的电子元件。可控硅模块的原理是利用半导体材料的特性,在一个周期内将交流电压转换为脉冲式直流电压。当触发器接收到控制信号时,它会开启可控硅,使其从导通状态转换为截止状态,从而通过改变导通时间来控制负载电流。这种模块具有体积小、重量轻、反应速度快等优点,并且可以根据需要进行组合使用,形成不同功率等级的控制模块。在工业生产中,可控硅模块被广泛应用于交流电源调节、直流电源调节、变频器、电动机软起动、电磁...

  • 20233-21
    高压快速熔断器的原理、优点、构造和应用

    在现代社会中,电力已经成为生产、生活和通讯等各个方面不可或缺的能源,因此电网的安全运行至关重要。为了保障电网的安全,采用高压快速熔断器已经成为一种有效的方式。本文将从高压快速熔断器的原理、优点、构造和应用等方面进行叙述。一、原理高压快速熔断器是一种保护电网安全的重要装置。它的作用是在电路发生短路故障时,迅速地熔断故障区域,避免电路继续运行,保持电网的运行安全。它的原理是在电路发生故障时,通过熔断器迅速断开电路,防止故障扩大,并在一定时间内贮存能量。当电力恢复正常,它可以快速地...

  • 20232-2
    快速熔断器和普通熔断器区别有哪些?

    巴斯曼快速熔断器是一种熔断器的一种,快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流,因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同,但熔体材料和形状不同,它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。快速熔断器的熔丝除了具有一定形状的金属丝外,还会在上面点上某种材质的焊点,其目的为了使熔丝在过载情况下迅速断开。快速熔断器是一种保护电路的装置,有多种类型,随着对生活生产安全的高度...

  • 202212-12
    高压快速断器您了解多少呢?

    高压快速断器是一种断器的一种,快速断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流,因此要求短路保护具有快速断的能力。快速断器的结构和有填料封闭式断器基本相同,但体材料和形状不同,它是以银片冲制的有V形深槽的变截面体。快速断器的丝除了具有一定形状的金属丝外,还会在上面点上某种材质的焊点,其目的为了使丝在过载情况下迅速断开。快速断器:断器主要用于半导体整流元件或整流器件的短路保护。因为半导体元件的过载能力很低。只能...

  • 202211-14
    艾赛斯模块的可靠性测试究竟有什么意义?

    艾赛斯模块的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。艾赛斯模块的可靠性测试是在其生产中不可少的一个环节,为何这么说呢?艾赛斯模块是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件...

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