赛米控提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封装形式的IGBT模块，支持不同的拓扑结构、额定电流和电压。这些IGBT模块的电流范围为4A至1400A，电压级别为600V至1800V。可用于各种应用，并采用多项关键技术，提供不同的拓扑结构，如CIB、半桥、H桥、三相全桥和三电平等。西门康IGBT模块SKM200GAH123/126半导体模块

IGBT动态特性是 ：IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间，tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。静态特性有伏安特性、转移特性和开关特。6U德国西门康IGBT功率模块六单元全新现货

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。西门康模块IGBT模块斩波模块(IGBT+二极管)

西门康IGBT驱动板 包括三大类：Driver驱动板、Driver Core驱动芯、Adaptor Board适配板，适于驱动600V、1200V、1700V三种电压等级的IGBT模块。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；西门康IGBT模块SKM电子元器件半导体全系列

IGBT,绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点。西门康SEMIKRON赛米控IGBT模块电子元器件2U