IHV B 3300 V 1500 A 190 mm 单开关 IGBT 模块，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低开关损耗和发射极控制二极管。具有：直流电压稳定性、高短路能力、自限制短路电流、低开关损耗、出色的坚固性、低 VCEsat，具有正温度系数、铝碳化硅基板，用于提高热循环能力、绝缘基板等特征。FZ1600R17KE/KF 英飞凌 IGBT模块全系列现货

英飞凌模块单开关 IGBT模块3300V 1500A，IHV B 3300 V 1500 A 190 mm 单开关 IGBT 模块，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低开关损耗和发射极控制二极管。具有：直流电压稳定性、高短路能力、自限制短路电流、低开关损耗、出色的坚固性、低 VCEsat，具有正温度系数、铝碳化硅基板，用于提高热循环能力、绝缘基板等特征。

FZ800R Plug-and-Play系列 英飞凌大功率IGBT 模块，具有第二代 IGBT 和发射极控制二极管——适用于牵引和工业应用的成熟解决方案。具有高可靠性和坚固的模块结构特征和高功率密度可实现紧凑型逆变器设计，标准封装的优势。大功率*全新现货英飞凌IGBT模块半导体

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