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Technical articles高压快速断器是一种断器的一种，快速断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流，因此要求短路保护具有快速断的能力。快速断器的结构和有填料封闭式断器基本相同，但体材料和形状不同，它是以银片冲制的有V形深槽的变截面体。快速断器的丝除了具有一定形状的金属丝外，还会在上面点上某种材质的焊点，其目的为了使丝在过载情况下迅速断开。快速断器：断器主要用于半导体整流元件或整流器件的短路保护。因为半导体元件的过载能力很低。只能...
艾赛斯模块的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。艾赛斯模块的可靠性测试是在其生产中不可少的一个环节，为何这么说呢？艾赛斯模块是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件...
传统的晶闸管本质上是直流控制装置。为了控制交流负载，两个晶闸管必须并联反向极性，使每个晶闸管能控制一个半波。晶闸管晶闸管是在普通晶闸管的基础上发展起来的，它不仅可以并联取代两个反极性晶闸管，而且只需要一个触发电路，是目前理想的交流开关器件。它的英文名字是triac意思是三端双向交流开关。晶闸管是一种功率集成装置，由七个晶体管和多个电阻组成，虽然从形式上来说它可以看作是两个传统晶闸管的组合。低功率晶闸管用塑料包装，有些带散热片，如图1所示。典型产品有bcmlam(1a/600v...
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），又称为绝缘闸极双极性电晶体。IGBT归类在功率半导体元件的电晶体领域。功率半导体元件（电晶体领域）除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关。IGBT是一种适合高电压、大电流应用的理想晶体管。IGBT的额定电压范围为400V至2000V，额定电流范围为5A至1000A，IGBT广泛用于工业应用（例如，逆变器系统和不间断电源（UPS））、消费类应用（例如，空调和电磁炉...
高压快速熔断器是一种熔断器的一种，快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流，因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同，但熔体材料和形状不同，它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。快速熔断器的熔丝除了具有一定形状的金属丝外，还会在上面点上某种材质的焊点，其目的为了使熔丝在过载情况下迅速断开。下面我们一起来了解下快速熔断器的安装要求：一、快速熔断器变电器在二次电...
快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流，因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同，但熔体材料和形状不同，它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。快速熔断器的工作温度范围非常大，上限可以达到90℃，下限可以达到-50℃。具有良好的分断能力，最大分断能力达到35KA，分断时间常数为1-3ms。熔断特性*：熔断器在实际工作电流达到额定电流的1.13倍时，1小时内熔...
什么是功率MOSFET？我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向；我们不能对其编程以通过或屏蔽一个信号。对于诸如“流控制”或可编程开关之类的应用，我们需要一种三端器件和双极型三极管。我们都听说过Bardeen&Brattain，是他们偶然之间发明了三极管，就像许多其它伟大的发现一样。结构上，它由两个背靠背的结实现(这不是一笔大交易，早在Bardeen之前，我们可能就是采用相同的结构实现了共...
核心观点：从汽车行业背景看，新能源汽车销量高增，汽车半导体景气度持续：汽车“三化”进程不断加速，各类汽车半导体需求量均有不同程度地提高，车规级MCU是一类具有广泛运用场景的车载芯片，车规级MCU市场前景广阔。从短期重大事件看：车规级MCU正是本轮“缺芯”事件的“主角”之一，多重因素促成了一次严重的汽车产业链“缺芯”危机，这导致了汽车生产遭遇巨大困难，现阶段车规级MCU仍是众多汽车芯片中尤为紧缺的种类之一。从中长期发展趋势看：疫情终将过去，发展大势不可阻挡。汽车电子电气（E/E...
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