艾赛斯igbt模块是电压型控制，具有输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。igbt的发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标，特别是发展高压变频器的应用，简化其主电路，减少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，简化调试工作等，都与igbt有密切的内在关联。
如何判断艾赛斯igbt模块的好坏？
1.判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2.判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接igbt的集电极(C)，红表笔接igbt的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时igbt被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时igbt被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断igbt是好的。
3.任何指针式万用表皆可用于检测igbt
注意判断igbt好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使igbt导通，而无法判断igbt的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
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