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艾赛斯igbt模块的好坏判断技巧速掌握!

发布时间: 2022-10-09  点击次数: 317次
   艾赛斯igbt模块是电压型控制,具有输入阻抗大,驱动功率小,控制电路简单,开关损耗小,通断速度快,工作频率高,元件容量大等优点。igbt的发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标,特别是发展高压变频器的应用,简化其主电路,减少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,简化调试工作等,都与igbt有密切的内在关联。
  如何判断艾赛斯igbt模块的好坏?
  1.判断极性
  首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
  2.判断好坏
  将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接igbt的集电极(C),红表笔接igbt的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时igbt被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时igbt被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断igbt是好的。
  3.任何指针式万用表皆可用于检测igbt
  注意判断igbt好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使igbt导通,而无法判断igbt的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。